* QT-2B半導體技術芯片材料管性狀構造儀可基于必須檢測的半導體技術芯片材料二**管、三**管的高頻直流電壓性能指標,**大集電**直流電壓達到50A,根本擁有瓦數500W有以下的半導體技術芯片材料管的公測。
* 本器材還附有髙壓的試驗圖片器,可對5000V低于的光電器件管做好熱擊穿額定電壓及返向漏電流量試驗圖片,其試驗圖片電流量**高迅敏度實現0.5uA/度。
* 本測試儀器所可以提供的基**臺階訊號還都具有脈沖發生器臺階輸出精度,所以可提高測量空間及對兩次熱擊穿基本特性的測量。
* 本測量儀器帶梯階偏置工作電壓(△VB), -6V~+6V持續可以調節。尤為最宜大電率VMOS管測式。
1. 集電**瞬時電流偏轉常數
a) 集電**直流電范圍之內(Ic): 1μA/度~5A/度。按1、2、5進制分21檔級,各檔計算誤差往往并低于等于3%。
b) 二**管直流電壓比率(ID) :1μA/度~500μA/度。1、2、5進制分9檔,各檔精度較小于3%。
c) 集電**直流電壓及二**管直流電壓倍數×0.5,差值不高于10%。
d) 基**電流大小或基**源電壓降0.1V/度,誤差度不多于3%。
2. 集電**工作電壓偏轉指數公式
a) 集電**電壓值依據(Uc): 10mV/度~50V/度。按1、2、5進制分21檔級,各檔數據誤差太低于3%。
b) 二**管電流值范圍之內(UD): 100V/度~500V/度。按1、2、5進制分3檔級,各檔確定誤差好超出10%。
c) 基**端電壓面積(UBE):10mV/度~1V/度按1、2、5進制分7檔級,各檔測量誤差不太于3%。
d) 基**感應電流或基**源電壓電流::0.05V/度,數據誤差不高于3%。
3. 基**階梯式信息
a) 階梯式電流大小超范圍(IB): 10uA/度~200mA/度。按1、2、5進制分17檔級,各檔確定誤差不多于5%。
b) 梯階端電壓標準(UB): 50mV/度~1V/度。按1、2、5進制分5檔級,各檔誤差率往往并不多于5%。
c) 結合功率電阻:0Ω、10KΩ、100KΩ,各檔數據誤差并不嚴重于10%。
d) 梯階波形參數:分一切正常(100%)及輸入激光脈沖二檔。輸入激光脈沖梯階占空比調試依據為10~40%。
e) 每簇級數:0~10級,間隔可變。
f) 階梯性偏置輸出功率(△VB):-6V~+6V,間隔調節器。
g) 梯階用處:分去重復、關、累計三檔級。
h) 臺階輸出:分正常值、零電流大小、零電流值三檔級。
i) 梯階**性:分正、負二檔。
4. 集電**打印線電壓
a) 傳輸電壓值與檔級: 0~10V 正或負陸續可以調整
0~50V 正或負多次可手動調節
0~50V 正或負持續可控
0~100V 正或負反復能自由調節
0~500V 正或負不斷可調式
b) 業務輸出電流量功率: 0~10V 50A(輸入脈沖梯階業務情況下時)
0~10V 20A(平均水平值)
0~50V 10A(平衡值)
0~100V 5A (差不多值)
0~500V 0.5A(總值值)
c) 功耗測試規定電阻值: 0~500KΩ 按1、2、5進制分20檔級,各檔粗差不多于10%。
d) 整流行為: 全波
e) 所在**性: +,-
f) 集電**容性感應電流; 發展后不超2uA(10V檔)
g) 集電**漏電流; 取舍后不少于2uA(10V檔)
5. 二**管公測安裝
a) 傳輸電壓降: 0~5000V 正面不斷隨意調節
b) 的輸出電壓電流使用量: **大有5mA
c) 整流行為: 半波
6. 其余
a) 兼容器
高壓力自測座、三**管自測座、 最大功率三**管自測座
b) 單重 約30kg。
c) 外觀長寬
300mm×408mm×520mm(W×H×D)。
d) 能耗: 非檢驗動態時: 約80VA;
**大額定功率時: 約300VA。
e) 搜索電壓值: 220V±10%;
f) 幾率: 50HZ±5%。
g) 示波管: 15SJ118-DC 有效果事業面8×10cm。
h) 電滋兼容性設置
電荷轉移干憂應完全符合GB/T 6833.9中第8章的請求。
放射性物質電磁波輻射應符合耍求GB/T 6833.10中第一章的耍求。
周圍環境應達到GB/T 6587.1中Ⅱ級檢測儀器的的規定,運輸管理校正按2級

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