
LT-200數字式太陽能級硅晶體少子壽命測試儀的詳細資料:
數字式太陽能級硅晶體少子壽命測試儀 晶體少子壽命測試儀型號:LT-200
LT-200數字式太陽能級硅晶體少子壽命測試儀簡介
1. 儀器應用范圍及說明
本設備是按照 標準GB/T1553“硅單晶少數載流子壽命測定的高頻光電導衰減法”設計制造。高頻光電導衰減法在我國半導體集成電路、晶體管、整流器件、核探器行業已運用了三十多年,積累了豐富的使用經驗,經過數次全國十多個單位巡回測試的考驗,證明是一種成熟可靠的測試方法,特別適合于硅塊、硅棒的少子體壽命測量;也可對硅片進行測量,給出相對壽命值。方法本身對樣品表面的要求為研磨面,因此制樣特別簡便。
數字式太陽能級硅晶體少子壽命測試儀
昆德公司數字式硅晶體少子壽命測試儀有以下特點:
可測量太陽能級多晶硅塊、單晶硅棒少數載流子體壽命。表面無需拋光,直接對切割面或研磨面進行測量,儀器可按需方提供的有標稱值的校準樣品調試壽命值。
1.1 可測量太陽能級單晶及多晶硅片少數載流子的相對壽命,表面無需拋光、鈍化。
1.2 液晶屏上直接顯示少子壽命值,同時在線顯示光電導衰退波形。
1.3 配置的紅外光源:0.904~0.905μm波長紅外脈沖激光器,光穿透硅晶體深度較淺≈30μm,但光強較強,有利于測量低阻太陽能級硅晶體少數載流子體壽命,脈沖功率30W。
1.4 專門為消除陷進效應增加了紅外低光照。
1.5 測量范圍寬廣
測試儀可直接測量:
a、研磨或切割面:電阻率≥0.5Ω?cm的單晶硅棒、定向結晶多晶硅塊少子體壽命,切割片的少子相對壽命。
b、拋光面:電阻率在0.5~0.01Ω?cm范圍內的硅單晶、鍺單晶厚度小于1mm的拋光片。
2. 設備技術要求及性能指標
2.1 少子壽命測試范圍:0.5μs~6000μs
2.2 樣品的電阻率范圍:ρ﹥0.1Ω·cm(非回爐料)
2.3 測試速度:1分鐘/片
2.4 紅外光源波長: 0.904~0.905μm
2.5 高頻振蕩源:用石英諧振器,振蕩頻率:30MHZ
2.6 前置放大器,放大倍數約25,頻寬2HZ-2MHZ
2.7 可測單晶尺寸:斷面豎測:
直徑25mm-150mm;厚度2mm-500mm
縱向臥測:直徑5mm-20mm;長度50mm-200mm
2.8 測量方式:采用數字示波器直接讀數方式
2.9 測試分辨率:數字存儲示波器zui小分辨率0.01μs
2.10 設備重量:20 Kg
2.11 儀器電源:電源電壓類型:單相210~230V,50Hz,帶電源隔離、濾波、穩壓,不能與未做保護措施的大功率、高頻設備共用電源。
![]() | 產品名稱:繩索張力儀 鋼絲繩張力儀 鋼絞線張力計 產品型號:JJ-ASZ20 |
| 技術參數產品規格 | JJ-ASZ20 | JJ-ASZ50 | JJ-ASZ100 | JJ-ASZ200 |
| 大短路電流值(KN) | 20 | 50 | 100 | 200 |
| 供電量度數值(KN) | 0.01 | 0.01 | 0.1 | 0.1 |
| 輸出精度接口標準 | Rs232九孔插座開關 | |||
| 電源線 | 充點電池充點 充點器(充點輸出功率100V~240V) | |||
| 事業表面溫度 | 5℃~35℃ | |||
| 運輸管理攝氏度 | -10℃~60℃ | |||
| 相對的干濕度 | 15%~80%RH | |||
| 任務壞境 | 四周無震源及被腐蝕物質 | |||
| 凈含量 | 5kg | |||
| 看上去長寬 | 650×375×100 | |||
![]() | 產品名稱:水稻單穗脫粒機 產品型號:TSL-150A |
TSL-150A小型脫粒機應用范圍:
TSL-150A小型脫粒機適用于農業科研院所研究單位和品種試驗單位的小樣本的脫粒,可對小麥、玉米進行脫粒。
小麥脫粒機/玉米脫粒機/小型脫粒機功能特點:
TSL-150A小型脫粒機用于試驗室中,對小麥、玉米進行脫粒的小型電動脫粒清選機。該機可對小麥、玉米進行脫粒、清選和分離,可方便的將罩蓋打開檢查并清掃殘余物,無清掃死角,*保證無混雜。該機具有脫粒方便、損失小;清掃容易、移動輕便等優點;該機表面經整體噴塑處理,耐腐蝕性強,可很好地滿足對小麥、玉米進進行脫粒的要求。目前一直已在全國十幾個省市農業科研院所實際應用。
小麥脫粒機/玉米脫粒機/小型脫粒機技術參數:
滾筒直徑:175mm
滾筒轉速:900rpm
配套動力:180w、220V
外形尺寸:450X350X800
整機重量:25kg
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聯系人:王汝玄
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地址:北京市通州區興貿三街18號院
























